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类别:FET-单,描述:MOSFETN-CH80V6.7A8-SOIC,系列:TrenchFET庐,制造商:VishaySiliconix,FET型:MOSFETN通道,金属氧化物,FET特点:标准,漏极至源极电压333Vdss444:80V,电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.7A,开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:
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